特許

J-GLOBAL ID：201103061885813294

磁気メモリおよびその記録方法

発明者： 林 秀和 ,  南方 量二 ,  道嶋 正司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (5件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典 ,  小池 隆彌 ,  木下 雅晴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273760
特許番号：特許第3653442号
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリであって、 前記各磁気抵抗効果素子の上下平面に電流線を配置し、 前記各磁気抵抗効果素子への記録は、前記各磁気抵抗効果素子に隣接する両磁気抵抗効果素子の上または下の一方の前記電流線を駆動して行い、 前記各磁気抵抗効果素子にかかる磁界を強めると共に、前記各磁気抵抗効果素子以外への漏れ磁界を遮断するための高透磁率層を、前記各磁気抵抗効果素子に対し上面に配置された前記電流線の上部と、前記各磁気抵抗効果素子に対し下面に設置された前記電流線の下部とに、配置したことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 120 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096117   出願人：キヤノン株式会社