特許

J-GLOBAL ID：201103062361110322

窒化物半導体装置

発明者： 鎌田 厚 ,  冨田 秀司 ,  出口 忠義
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-299026
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138973
出願日： 2009年12月29日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】高電圧印加時にフィールドプレート構造端に集中する電界強度を緩和し、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】フィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、ゲート電極18に、オフ制御の制御電圧を印加するとき、フィールドプレート構造の傾斜面部直下の窒化物半導体層中13にはキャリアが存在しないようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素およびインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リンおよび砒素からなる群の少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII-V族窒化物半導体からなる窒化物半導体層表面に、該窒化物半導体層にショットキ接触する、あるいは絶縁膜を介して接触する第1の電極と、該第1の電極に印加する制御電圧によって、一方の電極から他方の電極へ流れる電流を制御される少なくとも2つの第2の電極と、前記第1の電極と連続し、第2の電極のいずれか一方の電極側に延出するフィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、 前記フィールドプレート構造は、前記第1の電極が前記窒化物半導体層と直接、あるいは絶縁膜を介して接触する開口部と該開口部につながる傾斜面部とを備えた絶縁膜上に、前記傾斜部を被覆するように前記第1の電極が積層形成された構造であり、 前記第1の電極に、オフ制御の前記制御電圧を印加するとき、前記フィールドプレート構造の傾斜面部直下の前記窒化物半導体層中にはキャリアが存在しないことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (7件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 Q ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/44 S

Fターム (42件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS06 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-094030   出願人：古河電気工業株式会社
• HEMT装置及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-512815   出願人：ダイナックスセミコンダクター,インコーポレイティド