HEMT装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 南山知広 , 河合章 , 中村健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-512815
公開番号（公開出願番号）：特表2011-523218
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

HEMT装置及びHEMT装置の製造方法であって、HEMT装置は、基板(12)上のバッファ層(14)と、バッファ層(14)上の半導体層と、半導体層上の絶縁層(16,17)と、半導体層に接触するソース電極(22)及びドレイン電極(23)と、ソース電極(22)とドレイン電極(23)との間のゲート電極(24,104,114)と、を備え、ゲート電極(24,104,114)の下の半導体層に配置されたチャネルをピンチオフ状態にしている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上のバッファ層と、前記バッファ層上の半導体層と、前記半導体層上の絶縁層と、前記半導体層に接触するソース及びドレインと、前記ソースと前記ドレインとの間のゲートと、を備え、前記ゲートの下の前記半導体層のチャネルをピンチオフ状態にしたことを特徴とするHEMT装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/44 S

Fターム (40件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE17 , 4M104FF06 , 4M104FF10 , 4M104FF27 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 5F102FA03 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GS03 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-309095 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-308620 出願人：株式会社東芝
窒化物半導体電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-247209 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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