特許
J-GLOBAL ID：201103062407964046
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005580
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269513
特許番号：特許第4656685号
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/318 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 619 A
, H01L 21/318 C
, G02F 1/136
