特許

J-GLOBAL ID：201103062901873371

半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 誠一 ,  藤森 正成 ,  佐久間 憲之 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 特許業務法人 日東国際特許事務所 ,  小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368640
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185515
特許番号：特許第3805588号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板表面の凹凸を有する絶縁膜上に形成されたバリア金属からなる第1金属膜と、上記第1金属膜の表面に形成されたCu又はCuを主成分とする合金もしくはCu化合物からなる第2金属膜とを研磨して凸部分の前記第金属膜と第2金属膜を除去して凹部分に前記第1金属膜と第2金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法において、前記第2金属膜表面を酸化する酸化性物質と、前記酸化した第2金属膜表面の第2金属酸化膜をリン酸により水溶化して金属イオン化することにより前記凸部の第2金属膜を研磨するとともに、保護膜形成剤により保護膜を前記凹凸を有する前記第2金属表面に形成することにより凸部を選択的に研磨し、凹部は研磨を抑制しながら前記第2金属膜表面を平坦化する砥粒フリーの第1研磨液による第1研磨工程と、その後、上記第1研磨液に砥粒を加えてなる第2研磨液を用いて上記第1金属膜を研磨する第2研磨工程よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B24B 37/00 ( 200 6.01) ,  C23F 1/18 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/304 622 A ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C23F 1/18 ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276937   出願人：株式会社日立製作所
• 銅張積層板用表面処理液および表面処理法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217436   出願人：三菱瓦斯化学株式会社