アニール方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345410
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168053
特許番号：特許第3345639号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】固体単結晶中に不純物原子を導入する際に生じた非晶質層や欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、上記固体単結晶はダイヤモンド、SiC、BN等のワイドギャップ半導体であり、上記熱処理時にイオンビームをその固体単結晶に照射して不純物原子を置換位置に導入し、固体単結晶を電気的に活性化させることを特徴とするアニール方法。

IPC (3件)：