特許
J-GLOBAL ID：201103063095667860

集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール

発明者：
清田 和明

清田 和明 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-105287
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233829
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】リッジ導波路構造を備え、迷光を吸収することができる、高温特性の良好な高信頼性で長寿命の集積型半導体光素子を提供すること。【解決手段】MMI光合流器13の出力端の辺に、半導体光増幅器14を結合する部分を除いた領域に迷光を導波させるための迷光導波メサ15-1,15-2が形成されており、迷光導波メサ15-1,15-2はコア層として活性層を含む構造を備えるため、活性層で迷光を吸収することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体光素子であって、 半導体基板と、前記半導体基板上に配置された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に配置されたコア層と、前記コア層上に配置された上部クラッド層と、を少なくとも有し、前記上部クラッド層の少なくとも一部がメサ状に突出しているリッジ導波路構造からなり、 前記光合流器の出力端に前記半導体光増幅器となる部分を除いた辺に迷光を導波させるための迷光導波メサが形成されており、前記迷光導波メサはコア層として活性層を含むことを特徴とする集積型半導体光素子。
IPC (1件)：
H01S 5/22
FI (1件)：
H01S5/22 610
Fターム (9件)：
5F173AA08 ,  5F173AD04 ,  5F173AD16 ,  5F173AD19 ,  5F173AD30 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AR01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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