特許
J-GLOBAL ID：200903047695667258
光半導体素子および光半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288671
公開番号（公開出願番号）：特開2007-094336
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】発生する迷光の伝搬を抑えることができる光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体レーザ2およびMZ干渉型光変調器4を分岐カプラ3、合波カプラ5および光導波路11〜16によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子1であって、半導体レーザ2から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層6を、少なくとも合波カプラ5の出力端および光導波路16に隣接させて設けている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の光半導体デバイスを光カプラおよび光導波路によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子であって、
前記光カプラおよび前記光導波路を伝搬する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収領域を前記光カプラあるいは前記光導波路に隣接して設けたことを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/017 502
, H01S5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA13
, 2H079KA18
, 2H079KA20
, 5F173AB13
, 5F173AD14
, 5F173AD16
, 5F173AD19
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP12
出願人引用 (1件)
-
導波路型光デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-000370
出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (9件)
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