特許
J-GLOBAL ID：200903031090185045

集積型半導体レーザ素子および半導体レーザモジュール

発明者：
木本 竜也

木本 竜也 について

, 
清田 和明

清田 和明 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-073149
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250889
出願日： 2006年03月16日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】内部で発生する迷光の前方への放射を抑制することができる集積型半導体レーザ素子およびこれを備える半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、 前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことを特徴とする集積型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/026
FI (1件)：
H01S5/026 618
Fターム (18件)：
5F173AA26 ,  5F173AB13 ,  5F173AD06 ,  5F173AD19 ,  5F173AG12 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AR13 ,  5F173SA12 ,  5F173SA27 ,  5F173SA33 ,  5F173SC02 ,  5F173SC03 ,  5F173SE01 ,  5F173SF03 ,  5F173SF13 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-059889   出願人：富士通株式会社
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-268331   出願人：富士通株式会社
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-056085   出願人：日亜化学工業株式会社
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審査官引用 (7件)
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