特許
J-GLOBAL ID：201103063213558965
半導体発光素子、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244014
特許番号：特許第3399392号
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地基板と、下地基板上に形成されるZnO系発光層を有してなる半導体発光素子であって、前記下地基板とZnO系発光層との間に、NiのドープされたZnOバッファ層を介在して設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 D
, H01L 21/363
