III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222882
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015443
特許番号：特許第4465748号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】10Å以下の表面窒化層厚を持つ基板の上に1000〜1180°Cの成長温度で膜厚が0.1〜1.5μmの第一のIII族窒化物系化合物半導体層を形成し、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成し、前記第一のIII族窒化物系化合物半導体層がAlNからなり、前記第二のIII族窒化物系化合物半導体層がGaNからなる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：