特許

J-GLOBAL ID：201103063474999888

不揮発性半導体メモリ

発明者： 丹沢 徹 ,  渥美 滋 ,  梅沢 明 ,  田浦 忠行 ,  志賀 仁 ,  高野 芳徳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077284
特許番号：特許第4157285号
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1及び第2の不揮発性メモリバンクと、 これら第1及び第2の不揮発性メモリバンク間の領域に設けられ、前記第1の不揮発性メモリバンクのビット線と前記第2の不揮発性メモリバンクのビット線にそれぞれ選択的に接続される読み出し用データ線及び書き込み・ベリファイ用データ線と、 前記読み出し用データ線に接続される読み出し用センスアンプと、 前記書き込み・ベリファイ用データ線に接続される書き込み・ベリファイ用センスアンプと、 前記書き込み・ベリファイ用データ線に接続される書き込み回路とを具備し、 前記読み出し用のデータ線及び前記読み出し用のセンスアンプはページサイズと同数であり、前記書き込み・ベリファイ用データ線、前記書き込み・ベリファイ用センスアンプ及び前記書き込み回路はページサイズよりも少ないことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  G11C 29/04 ( 200 6.01)

FI (10件)：

G11C 17/00 636 A ,  G11C 17/00 636 B ,  G11C 17/00 634 F ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 639 A ,  G11C 17/00 633 A ,  G11C 17/00 633 B ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 631 ,  G11C 29/00 603 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-065398   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置とその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-324339   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-212964   出願人：株式会社東芝