半導体記憶装置とその制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143480
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】データの並列処理を行うバンクについて記憶容量の設定の自由度が高められた半導体記憶装置とその制御方法を提供する。【解決手段】少なくとも二つのグループに分類された複数のメモリセルアレイ111,121,131,141を含む半導体記憶装置であって、いずれか一つのグループに含まれた全てのメモリセルアレイに対するデータの書き込み又は消去を実行する回路151,152と、メモリセルアレイからデータを読み出す読み出し回路150と、書き込み又は消去が行われていないメモリセルアレイからデータを読み出すよう読み出し回路150を制御する制御回路153とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルアレイを含む半導体記憶装置の制御方法であって、前記複数のメモリセルアレイを少なくとも二つのグループに分けて、前記グループ毎に前記グループを構成する全ての前記メモリセルアレイを協働させると共に、一つの前記グループに含まれる前記メモリセルアレイに対するデータの書き込み又は消去を実行中に、前記書き込み又は消去が行われていない前記メモリセルアレイからデータを読み出すことができることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。

Fターム (6件)：

5B025AD00 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE00 , 5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-127106 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073452 出願人：三菱電機株式会社
不揮発性、特に、フラッシュEEPROM記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112859 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.

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