特許
J-GLOBAL ID：201103063517327323

半導体装置の製造方法

発明者：
斎藤 直人

斎藤 直人 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101667
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294565
特許番号：特許第4681090号
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体材料からなる半導体基板層上にバイポーラトランジスタのコレクタ領域につらなる埋め込み層を形成するための半導体装置の製造方法であって、 前記半導体基板層の上側表面上の特定の領域に前記埋め込み層となる第2導電型の不純物をドーピングする工程と、 前記半導体基板層にドーピングされた第2導電型の不純物を前記半導体基板層中に拡散させる工程と、 前記半導体基板層上の前記上側表面上に第2導電型のエピタキシャル成長層を形成する工程とを含み、 前記第1導電型の半導体基板層上の、前記第2導電型の不純物がドーピングされる領域は、前記不純物がドーピングされない領域の周囲を取り囲んでおり、前記不純物がドーピングされない領域は後の工程で形成されるベース領域およびエミッタ領域の下にのみ複数存在し、コレクタ領域の下には存在せず、前記コレクタ領域の下の前記埋め込み層が前記ベース領域および前記エミッタ領域の下の前記埋め込み層より高く上方拡散したプロファイルとなるように前記第2導電型の不純物を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8249 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8248 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/72 P ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 27/06 101 U
引用特許：
審査官引用 (6件)
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