高周波電流抑制型電子部品

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：池田憲保 , 山本格介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103025
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291816
特許番号：特許第4398057号
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】信号処理用に供される所定数の端子を備えた電子部品において、前記所定数の端子のうちの一部又は全部には、該端子自体に流れる数十MHz〜数GHz帯域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体が厚さ0.3〜20μmの範囲で設けられ、前記高周波電流抑制体は組成分M(但し、MはFe、Co、Niの少なくとも一種とする)、Y(但し、YはF、N、Oの少なくとも一種とする)、及びX(但し、XはC、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Taの少なくとも一種とする)の混在物によるM-X-Y系の磁気損失材料であって、尚かつ、前記磁気損失材料の飽和磁化が、前記組成分Mのみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の80%以下で60%以上の範囲となるよう、前記組成分Mの比率が定められており、更に、前記組成分Mが、前記組成分X及び前記組成分Yによる化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在しており、透磁率特性における実数部μ'に対する虚数部μ"を周波数との関係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ"の最大値μ"maxが周波数100MHz〜10GHzの帯域範囲に存在していることを特徴とする高周波電流抑制型電子部品。

IPC (6件)：

H01L 23/50 ( 200 6.01) , H01F 10/14 ( 200 6.01) , H01F 10/16 ( 200 6.01) , H01F 27/29 ( 200 6.01) , H01L 23/00 ( 200 6.01) , H05K 9/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 23/50 X , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 15/10 A , H01L 23/00 C , H05K 9/00 K

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-142558 出願人：株式会社日立製作所
デカップリング回路内蔵半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-267217 出願人：株式会社環境電磁技術研究所, ティーディーケイ株式会社
特開平3-195051

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