特許
J-GLOBAL ID：201103063737772352

半導体ウェハダイシング方法並びに半導体ウェハから切り出されたチップ及びそのチップ複数個からなるアレイ

発明者：
ポール エー ホシヤー

ポール エー ホシヤー について

, 
ニコラス ジェイ サラティーノ

ニコラス ジェイ サラティーノ について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-281107
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135075
出願日： 2010年12月17日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】アレイ用チップの切り出しに適した高精度且つ低損傷なダイシングを実現する。【解決手段】半導体ウェハ100をダイシングするため、まずそのウェハ100の後面を切削して基準スロット106を形成し、そのスロット106に対し位置決めしつつウェハ後面を切削して後面スロット112を形成する。基準スロット106を基準にチップ端理想位置を定め、後面スロット112に連なるようそのチップ端理想位置に対し輻射エネルギたるレーザビーム126のエッジ130,138の位置を合わせ、ウェハ100内にそのビーム126を供給する。すると、その供給経路沿いにウェハ100の結晶構造が変化して改質域128,136が発生するので、それら改質域128の並びを境にウェハ100を分断する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ウェハ後面を切削して基準スロットを形成するステップと、 基準スロットに対し位置決めしつつウェハ後面を切削して後面スロットを形成するステップと、 輻射エネルギのエッジ位置と揃うよう、後面スロット形成部位におけるウェハの前後面厚みに従い且つ基準スロットを基準に、チップ端理想位置を定めるステップと、 後面スロットに連なるようチップ端理想位置に対し輻射エネルギのエッジ位置を合わせ、ウェハ内にその輻射エネルギを供給することで、その供給経路沿いにウェハの結晶構造を変化させて複数個の改質域を発生させるステップと、 ウェハの前後面間に跨るチップ端面が発生し、且つそのチップ端面の少なくとも一部とウェハ前面との境に略方形の尖りが発生するよう、改質域の並びを境にウェハを分断するステップと、 を有する半導体ウェハダイシング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (4件)：
H01L21/78 C ,  H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40
Fターム (6件)：
4E068AA03 ,  4E068AE01 ,  4E068AJ01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA14 ,  4E068DA10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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