半導体基板の分断方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田下明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228279
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086509
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】分断されたDAFや金属薄膜の寸法を半導体チップに適合させることができ、半導体チップの実装不良が発生することがない半導体基板の分断方法を実現する。【解決手段】ダイヤモンドブレード3により、分断予定ラインL1に沿ってDAF2および半導体基板1に切り込み1aを形成する。次に、レーザ光4をその集光点Pが半導体基板1の内部に形成されるように、分断予定ラインL1に沿って照射し、集光点Pに多光子吸収による改質領域1cを形成する。次に、ダイシングフィルム5を矢印F2,F3方向へ引っ張り、半導体基板1を分断予定ラインL1に沿って分断する。次に、押圧部材6を矢印F4で示す方向へ移動させ、半導体チップ1eをピックアップする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられた半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、前記実装部材側の面から、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って少なくとも前記実装部材を分断する実装部材分断工程と、この実装部材分断工程により前記実装部材が分断された前記実装部材側の面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、前記実装部材側の面およびその面と反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、この改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程と、を備えたことを特徴とする半導体基板の分断方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 B , H01L21/78 Q , H01L21/78 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3408805号公報(第77〜81段落、図28〜図32)。

審査官引用 (7件)

レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-157965 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-213499 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-309742 出願人：株式会社東芝

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