炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 栗原彰 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292385
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101026
特許番号：特許第3539415号
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の炭化珪素半導体基体の第1主面上に形成され、反転型チャネルが形成される第2導電型のベース領域と、該ベース領域内に形成された第1導電型のソース領域と、前記基体の一部に形成された第1導電型のドレイン領域とを有し、前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されたMOS型炭化珪素半導体装置において、前記ベース領域の一部で、且つ、前記ゲート電極の下部に、蓄積型チャネルが形成される複数の第1導電型のチャネル領域が形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (1件)：