特許
J-GLOBAL ID：201103063928827874
パワーアンプ内蔵型アイソレータ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-513830
特許番号：特許第3680794号
出願日： 2000年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】単一の誘電体多層基板と、それぞれが前記誘電体多層基板に設けられた高周波パワーアンプ回路、アイソレータ素子及びインピーダンス整合回路とを備えており、前記高周波パワーアンプ回路及び前記アイソレータ素子は前記インピーダンス整合回路を介して互いに接続されているパワーアンプ内蔵型アイソレータ装置であって、前記アイソレータ素子は、前記誘電体多層基板に形成された貫通穴又は切り欠き部からなる装着部内に挿設されかつ接続用のポートを有する磁気回転子と、該磁気回転子上に配置された永久磁石と、前記誘電体多層基板内に内蔵されかつ前記接続用のポートに接続される容量部とを備えており、前記高周波パワーアンプ回路及び前記アイソレータ素子を覆うと共に、前記アイソレータ素子に対して閉磁路を形成する軟磁性体からなる共通単一のシールドケースを備えていることを特徴とするパワーアンプ内蔵型アイソレータ装置。
IPC (3件)：
H04B 1/04
, H01P 1/36
, H03F 3/60
H04B 1/04 B
, H01P 1/36 A
, H03F 3/60
