特許

J-GLOBAL ID：201103064047568716

誘電層の堆積およびエッチングのための方法および装置

発明者： ロッスマン, ケント
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-536906
特許番号：特許第3568895号
出願日： 1999年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理チャンバ内に配置された基板上にコンフォーマル層を堆積するための方法であって、前記処理チャンバ内に堆積ガスおよび不活性ガスソースを流入させるステップと、プラズマを形成し、前記プラズマが前記処理チャンバ内に存在するステップと、前記処理チャンバ内に存在する前記堆積ガスを選択的に減少させ、並びに前記処理チャンバ内の圧力を低下させるステップとを含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339565   出願人：株式会社リコー
• CVDシステムの真空ラインのクリーニング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-274008   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド