特許
J-GLOBAL ID：201103064149694791
半導体発光素子製造用支持基板及びこの支持基板を用いた半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤田 和子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-512377
公開番号（公開出願番号）：特表2011-522436
出願日： 2009年06月02日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】本発明は多層発光構造体薄膜を用いた半導体発光素子製造用支持基板及び上記半導体発光素子製造用支持基板を用いて半導体発光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】上記半導体発光素子製造用支持基板は選択支持基板上に順次積層形成された犠牲層、ヒートシンク層及びボンディング層からなる。上記半導体発光素子製造用支持基板を用いた半導体発光素子の製造方法は、最初成長基板の上部に半導体多層発光構造体が積層成長された第1ウェハを準備する段階と、半導体発光素子製造用支持基板である第2ウェハを準備する段階と、上記第1ウェハの上部に上記第2ウェハをボンディングする段階と、上記ボンディングの結果物から第1ウェハの最初成長基板を分離する段階と、上記最初成長基板が分離された第1ウェハの上部に第1オーミック接触電極を形成してパシベーションする段階と、上記パシベーションの結果物を切断して単一チップを製作する段階と、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
電気絶縁性の物質で形成された選択支持基板と、
前記選択支持基板の上部に積層されて形成される犠牲層と、
前記犠牲層の上部に積層されて形成され、熱的及び電気的伝導率が高い金属、合金、または固溶体で形成されるヒートシンク層と、
前記ヒートシンク層の上部に積層されて形成されるボンディング層と、を含み、
垂直構造の半導体発光素子の支持基板に用いられることを特徴とする半導体発光素子製造用支持基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CB15
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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