特許
J-GLOBAL ID：201103064219509482
非導電性のチャージトラップゲートを利用した多ビット不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226913
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057093
特許番号：特許第3912937号
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 多ビット情報を記録する不揮発性メモリにおいて、
半導体基板表面に形成された第1及び第2のソース・ドレイン領域と、その間のチャネル領域上に形成された第1の絶縁層、非導電性のトラップゲート、第2の絶縁層、及びコントロールゲートとを有し、
前記トラップゲート内に局所的に電荷をトラップする第1の状態と、
前記トラップゲート全体に電荷を注入する第2の状態とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/04 ( 200 6.01)
, G11C 16/02 ( 200 6.01)
G11C 17/00 621 A
, G11C 17/00 641
