研磨方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290637
特許番号：特許第4083342号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上に窒化タンタル膜よりなるバリア膜を介して該凹部を埋めるように銅よりなる金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、BET法によって測定した比表面積が80〜400m2/gのシリカ、シュウ酸、酸化剤及び水よりなる金属膜用研磨剤によって上記バリア膜を停止層とした上記金属膜の研磨を行い、バリア膜と金属膜との平坦化された面を形成する操作を含むことを特徴とする研磨方法。

IPC (2件)：