特許
J-GLOBAL ID：201103064463674746
半導体ウェハの製造方法および半導体ウェハの製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151853
公開番号（公開出願番号）：特開2000-334729
特許番号：特許第4414018号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の切断部(10)を備えたワイヤーソー(12)を用いてワイヤーピッチ記録媒体(14)に複数の切り込み(16)を形成したワイヤーピッチ位置決め治具(22)を用意する工程と、
半導体ウェハ(18)を複数積層して積層体(20)を形成する工程と、
前記位置決め治具を前記積層体に近接し、前記位置決め治具の切り込みのピッチと前記半導体ウェハの積層ピッチとのずれを検査する工程と、
前記ずれが許容範囲に収まるまで前記積層体の形成と前記検査を行う工程と、
前記ずれが許容範囲に収まる場合に前記積層体を前記ワイヤーソーに設置し、該ワイヤーソーを駆動して該積層体を構成する前記半導体ウェハを分断する工程と
を具備する半導体ウェハの製造方法。
IPC (2件)：
B28D 5/04 ( 200 6.01)
, B24B 27/06 ( 200 6.01)
B28D 5/04 C
, B24B 27/06 D
