特許
J-GLOBAL ID：201103064790625406
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-039330
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176145
出願日： 2010年02月24日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】対向電極構造としつつも、光の取り出し面に対するボンディング構造が不要な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、第1の主面と第1の主面に対する反対側に設けられた第2の主面と側面と発光層とを有する半導体積層体と、第1の主面に設けられた第1の電極と、第1の電極上に設けられた第1の配線と、半導体積層体の側面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して半導体積層体の側面に設けられた第2の配線と、第2の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、第2の主面よりも外側で第2の配線と接続された第2の電極と、を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と、前記第1の主面に対する反対側に設けられた第2の主面と、側面と、発光層とを有する半導体積層体と、
前記第1の主面に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第1の配線と、
前記半導体積層体の前記側面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記半導体積層体の前記側面に設けられた第2の配線と、
前記第2の主面における少なくとも外周部に設けられると共に、前記第2の主面よりも外側で前記第2の配線と接続された第2の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041AA14
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA94
, 5F041CA98
, 5F041CB36
