特許

J-GLOBAL ID：201103064896875991

高周波半導体装置

発明者： 神谷 真司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081062
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007140
特許番号：特許第3483132号
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 出力段トランジスタを有する高周波半導体回路チップと、該高周波半導体回路チップを搭載した基板と、該高周波半導体回路チップに設けられた出力段トランジスタのコレクタおよびエミッタのいずれか一方と該基板とを接続する信号線及び該出力段トランジスタのコレクタおよびエミッタの他方と該基板とを接続し該信号線とは電流位相が180°異なっている接地線とを備え、該信号線及び該接地線は、該信号線及び該接地線が作り出す磁界が打ち消されるような位置に近接して配置される高周波半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ワイヤボンド型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168562   出願人：日本電気株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-093087   出願人：日本電気株式会社
• 半導体チップパッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-343934   出願人：三星電子株式会社