特許
J-GLOBAL ID：201103065073640979
コンタクト抵抗測定用テストパターン及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中川 裕幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163275
特許番号：特許第4634678号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 自己整列されたラインコンタクトを使用する半導体素子においてコンタクト抵抗を測定するためのコンタクト抵抗測定用テストパターンであって、
複数の素子分離膜を形成して複数のアクティブ領域を設定されたテストウェーハと、
前記複数の素子分離膜及び複数のアクティブ領域を横切るライン領域と、
前記ライン領域を間に置いて一対を成すように設定された第1ラインコンタクト領域及び第2ラインコンタクト領域と、
前記ライン領域の前記複数の素子分離膜及び複数のアクティブ領域上に形成されたラインと、
前記ライン領域の複数のアクティブ領域に形成された複数の連結拡散層と、
前記ライン領域の一方側の第1ラインコンタクト領域の複数のアクティブ領域に形成された複数の第1拡散層と、
前記ライン領域の他方側の第2ラインコンタクト領域の複数のアクティブ領域に形成された複数の第2拡散層と、
前記第1ラインコンタクト領域で前記素子分離膜を間に置いて隣合う二つの前記第1拡散層を連結する多数の第1ラインコンタクトパターンと、
前記第2ラインコンタクト領域で前記素子分離膜を間に置いて隣合う二つの前記第2拡散層を連結するが、前記多数の第1ラインコンタクトパターンと平行を成してジグザグに配置される多数の第2ラインコンタクトパターンを含み、
抵抗測定のための電流が前記第1ラインコンタクト領域の第1拡散層、前記ライン領域の連結拡散層及び前記第2ラインコンタクト領域の第2拡散層を介して前記第1ラインコンタクトパターンと前記第2ラインコンタクトパターンとの間に3次元的に流れるように構成されたことを特徴とするコンタクト抵抗測定用テストパターン。
IPC (6件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01R 27/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 21/66 H
, G01R 27/02 R
, H01L 21/88 Z
, H01L 27/04 T
