特許

J-GLOBAL ID：201103065148888343

化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 中村 孝夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299028
特許番号：特許第3141874号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 透明電極を形成する直前の化合物半導体発光素子基板を準備する工程と、前記化合物半導体発光素子基板を真空槽内に置く工程と、前記真空槽の中心に、透明導電膜電極の材料となるターゲットを置く工程と、前記真空槽内に酸素を導入する工程と、成膜温度を室温〜300°Cにして、前記ターゲットにレーザ光を照射し、アブレーションによって放出された原子、分子イオンを前記化合物半導体発光素子基板の上に堆積させ、酸化させながら、前記透明導電膜電極を結晶成長させる工程と、を備えた化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503 ,  H01B 5/14

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 D ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H01B 5/14 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ZnO薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217099   出願人：ミノルタ株式会社
• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315075   出願人：出光興産株式会社
• レーザアブレーシヨン法による薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301794   出願人：トヨタ自動車株式会社