特許

J-GLOBAL ID：201103065245592220

ショットキーバリアダイオードの製造方法

発明者： 荻野 慎次 ,  金丸 浩
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240173
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068689
特許番号：特許第4312306号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高不純物濃度の半導体下地板上にエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に前記エピタキシャル層より低不純物濃度の低濃度層とを有し、前記低濃度層の表面にショットキー接合を形成する電極を設けたショットキーバリアダイオードの製造方法において、前記エピタキシャル層の表面に熱酸化により酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜への窓開け後に、形成温度が1000°C以下で少なくとも前記エピタキシャル層上に前記低濃度層をエピタキシャル法により形成する工程と、前記低濃度層の表面にショットキー電極を形成する工程を備え、前記低濃度層の表面までドーパントが拡散していないことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-109364
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-191986   出願人：ドイチェ・アイティーティー・インダストリーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクタ・ハフツンク
• ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-133464   出願人：富士電機株式会社
• 特開平2-109364