特許

J-GLOBAL ID：201103066769269520

めっき浴、めっき方法、めっき膜、放熱板

発明者： 小岩 一郎 ,  橋本 晃 ,  高梨 博 ,  竹内 良一
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  学校法人関東学院
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-038731
公開番号（公開出願番号）：特開2011-174131
出願日： 2010年02月24日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が12.6:87.4〜0.5:99.5の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が12.6:87.4〜0.5:99.5の範囲であることを特徴とするめっき浴。

IPC (4件)：

C25D 3/58 ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/00 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

C25D3/58 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 Q ,  H01L23/36 D

Fターム (38件)：

4K023AB39 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023BA11 ,  4K023BA13 ,  4K023BA16 ,  4K023BA25 ,  4K023BA29 ,  4K023CA09 ,  4K023CB03 ,  4K023CB16 ,  4K023DA04 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA15 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BA01 ,  4K024BA02 ,  4K024BA06 ,  4K024BA09 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024BB26 ,  4K024CA01 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DA03 ,  4K024DA04 ,  4K024DB10 ,  4K024GA01 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA05 ,  5F136FA83 ,  5F136GA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表面処理銅箔及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-241107   出願人：古河電気工業株式会社
• 発光素子用の配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-001393   出願人：日立エーアイシー株式会社