透明導電膜形成基板及び形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286984
公開番号（公開出願番号）：特開2001-106567
特許番号：特許第4099911号
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】透明基板上にIn及びSnの有機化合物を有機溶媒で溶解した有機溶液を塗布する塗布処理、塗布処理された透明基板を乾燥する乾燥処理及び乾燥処理された透明基板を焼成する焼成処理を順次施すことにより透明導電膜が形成された透明導電膜形成基板において、上記焼成処理が、酸素濃度が99%以上である酸素雰囲気中において180°Cで行われた後、真空中で行われたことを特徴とする透明導電膜形成基板。

IPC (2件)：