透明導電膜とその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-333282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-167817
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】薄膜でも低抵抗のインジウム-スズ系の透明導電膜とその形成方法の提供。【解決手段】インジウム/スズの原子比が85/15〜75/25であり、幾何学的膜厚が30nm以下であるインジウム-スズ酸化物系の透明導電膜とその形成方法。

請求項（抜粋）：

インジウム/スズの原子比が85/15〜75/25であり、幾何学的膜厚が30nm以下であるインジウム-スズ酸化物系の透明導電膜。

IPC (4件)：

H01B 5/14 , C03C 17/27 , C23C 18/12 , H01B 13/00 503

FI (4件)：

H01B 5/14 A , C03C 17/27 , C23C 18/12 , H01B 13/00 503 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

全件表示

前のページに戻る