薄膜作成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332874
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156158
特許番号：特許第4550959号
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ロードロックチャンバーと、前記ロードロックチャンバーと気密に接続された成膜チャンバーと、前記成膜チャンバーと気密に接続されたアンロードロックチャンバーと、前記アンロードロックチャンバーと前記ロードロックチャンバーの間に真空が連通するようにして気密に接続して設けられ、かつ膜除去機構を備えたエッチングチャンバーと、基板保持具を、前記ロードロックチャンバー、前記成膜チャンバー、前記アンロードロックチャンバー、及び前記エッチングチャンバーの順に移動させる移動機構とを備えており、前記移動機構は、前記ロードロックチャンバー内にある前記基板保持具を前記成膜チャンバーに移動させ、前記成膜チャンバー内にある前記基板保持具を前記アンロードロックチャンバーに移動させ、前記アンロードロックチャンバーにある前記基板保持具を前記エッチングチャンバーに移動させ、前記エッチングチャンバーにある前記基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させる動作を、タクトタイムごとに行う機構であり、前記エッチングチャンバーは前記アンロードロックチャンバーに隣接して設けられているとともに、前記ロードロックチャンバーは前記エッチングチャンバーに隣接して設けられており、前記移動機構は、あるタクトタイムにおいて前記アンロードロックチャンバーから前記エッチングチャンバーに前記基板保持具を移動させるとともに、次のタクトタイムにおいて当該基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させるものであり、前記膜除去機構は、前記基板保持具に堆積した堆積膜にイオンを入射させ、イオン衝撃により前記堆積膜をスパッタエッチングして除去するものであり、前記基板保持具は、前記エッチングチャンバー内において接地電位から絶縁されて絶縁電位となっており、前記膜除去機構は、前記エッチングチャンバー内において前記基板保持具に接触可能な可動電極と、高周波電源と、キャパシタンスを介して高周波電源と可動電極とをつなぐ伝送線とから成っており、高周波電源が印加する高周波電界によって形成されたプラズマ中の電子とイオンの移動度の違いから前記基板保持具に自己バイアス電圧を生じさせることでプラズマ中のイオンを入射させるものであることを特徴とする薄膜作成装置。

IPC (5件)：

H01L 21/683 ( 200 6.01) , B01J 19/00 ( 200 6.01) , B08B 7/00 ( 200 6.01) , C23C 14/00 ( 200 6.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/68 N , B01J 19/00 K , B08B 7/00 , C23C 14/00 B , H01L 21/302 102

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-166373
インライン式成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099648 出願人：アネルバ株式会社
連続式成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326725 出願人：株式会社日立製作所, 新明和工業株式会社

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審査官引用 (13件)

特開平3-166373
特開平3-166373
インライン式成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099648 出願人：アネルバ株式会社

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