特許
J-GLOBAL ID：201103067199185498
背面接触により電気コンポーネントを垂直に集積する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-500334
特許番号：特許第3895595号
出願日： 2000年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1半導体基板(1)の第1主面に、ドープされた領域又は金属被覆領域を含む第1コンタクト領域を含む第1回路構造を設けるステップ、
前記ステップに続いて、第1半導体基板(1)にビアホール(4)を形成するステップであって、該ビアホール(4)にはその内壁に設けられた絶縁層により第1半導体基板(1)から絶縁された導電材料が充填され、該ビアホール(4)は第1半導体基板(1)の第1主面から第2主面まで延び、第1コンタクト領域との間に延在する導電性接続材料(6)により第1コンタクト領域と電気的に接続されるものであるステップ、
前記ビアホール(4)内の導電材料により第1コンタクト領域に電気的に接続されるように、第1半導体基板(1)の第2主面上でビアホール(4)と接続される位置に第1ランド(8)を形成するステップ、
ドープされた領域又は金属被覆領域を含む前面コンタクトを備えた第2回路構造を含む第2半導体基板(3)を準備するステップ、
前記前面コンタクトに電気的に接続される第2ランド(9)を形成するステップ、及び
もっぱら第1ランド(8)と第2ランド(9)により第1半導体基板(1)と第2半導体基板(3)の間に電気的に導通性で機械的に安定な接続がなされるように、第1と第2の半導体基板を接続するステップ、を備えて2個の半導体コンポーネントを接続する方法であって、
第1ランド(8)と第2ランド(9)に使用される材料は、第1ランド(8)と第2ランド(9)を接続する前記接続ステップで得られる接続部の化合物が共晶化合物であり、かつその共晶化合物が接続ステップ以前の第1ランド(8)と第2ランド(9)の材料の融点よりも高い融点をもつように選択されることを特徴とする2個の半導体コンポーネントを接続する方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 27/00 301 B
, H01L 27/00 301 C
