特許

J-GLOBAL ID：201103067323951420

半導体素子の製造方法

発明者： 住田 行常 ,  平田 祥子 ,  稲田 隼之 ,  八木 修一 ,  河合 弘治
出願人/特許権者： 株式会社パウデック
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107394
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066390
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のGaN系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもGaN系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子は、GaN系半導体と異なる物質からなる基板11と、基板11上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口12aを有する成長マスク12と、成長マスク12を用いて基板11上に(0001)面方位に成長された一つまたは複数の島状のGaN系半導体層13とを有する。成長マスク12のストライプ状の開口12aはGaN系半導体層13の〈1-100〉方向に平行な方向に延在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系半導体と異なる物質からなる基板と、 上記基板上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口を有する成長マスクと、 上記成長マスクを用いて上記基板上に(0001)面方位に成長された一つまたは複数の島状のGaN系半導体層とを有し、 上記成長マスクの上記ストライプ状の開口は上記GaN系半導体層の〈1-100〉方向に平行な方向に延在していることを特徴とする半導体素子。

IPC (9件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (8件)：

H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12 R ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F

Fターム (26件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP24 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121878   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-029494   出願人：株式会社東芝