特許
J-GLOBAL ID：200903099982545333

半導体レーザ

発明者：
藤井 宏明

藤井 宏明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121878
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316582
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 簡便に共振器面、または光取り出し面を形成でき、高性能なGaN系青色・紫外域の半導体レーザが容易に提供できる。【構成】 活性層1を上下より挟み込み、かつ、活性層1よりも禁制帯幅の大きいクラッド層2、3を含みSiO2 マスク12に挟まれて形成されるGaN系結晶材料の共振器部が、GaN系結晶材料を六方晶構造結晶に選択成長させて現れる特定の6個の結晶面での成長速度が主面に比べ遅いことを利用し、これらのうちの2個からなる1対を半導体レーザの共振器面として有している。共振器となる結晶は、(0001)面、または(0001)面より数度傾斜した面を主面とする六方晶構造を形成している。
請求項（抜粋）：
活性層がGaN、GaInN、AlGaNまたはAlGaInNを含み、該活性層を上下より挟み込み、かつ、該活性層よりも禁制帯幅の大きいクラッド層を含み形成される共振器部を有する半導体レーザにおいて、前記共振器部が、(0001)面、または(0001)面より数度傾斜した面を主面とする六方晶構造を形成することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/08 S
引用特許：
審査官引用 (5件)
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