特許

J-GLOBAL ID：201103067667935831

半導体デバイス中に高アスペクト比のトレンチをエッチングする方法

発明者： ムニール・ディー・ナイーム ,  ガンガダラ・エス・マタド ,  ビョン・ヨル・キム ,  スチーブン・ピー・クデルカ ,  ブライアン・エス・リー ,  ホン・リー ,  エリザベス・モラーレス ,  ヨンジン・パク ,  ラジーヴ・エム・ラナーデ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161081
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033313
特許番号：特許第3490408号
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体デバイス中に高アスペクト比のトレンチをエッチングする方法であって、(イ)基板上にハード・マスクを付着させるステップと、(ロ)前記ハード・マスクをパターン形成するステップと、(ハ)前記ハード・マスクを用いてプラズマ反応器内で、前記基板の表面に存在するネイティブ酸化物をエッチングすると共に前記基板の一部をエッチングするステップと、(ニ)前記ハード・マスクを用いて前記プラズマ反応器内で、最終深さよりも浅いトレンチを前記基板に形成するステップと、(ホ)前記ステップ(ニ)において前記トレンチの側壁に堆積した側壁付着物を除去するステップと、(へ)前記トレンチの側壁を酸化して該側壁に酸化膜を堆積させるステップと、(ト)前記トレンチの深さが前記最終深さに達するまで、前記ステップ(ニ)、(ホ)及び(ヘ)を繰り返すステップとを含むトレンチをエッチングする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/302 105 A ,  H01L 27/10 625 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-062519
  
• 基板の処理方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-085106   出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309819   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平3-062519
  
• 基板の処理方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-085106   出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309819   出願人：日本電気株式会社