特許
J-GLOBAL ID：201103067731682446
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三浦 邦夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241079
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060257
特許番号：特許第3942852号
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成したギャップ層と、このギャップ層上に少なくとも反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層を積層してなる略断面台形状の多層抵抗膜と、この多層抵抗膜の両側端面に連続して形成された傾斜面の両側領域に下から順に積層したバイアス下地層及びバイアス層とを有し、
前記バイアス下地層が、bcc構造の結晶構造体からなり、少なくともその[211]面が膜面垂直方向に優先配向されて、前記多層抵抗膜の傾斜面の途中高さ位置まで形成され、
前記バイアス層の下面全面が前記バイアス下地層に接触して、該バイアス層が前記バイアス下地層上に前記フリー磁性層の高さ位置まで嵩上げされて形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G01R 33/09 ( 200 6.01)
, G11B 5/39 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
, G11B 5/39
, H01L 43/12
