特許
J-GLOBAL ID:201103067880602978
EL表示装置及び電子装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-194774
公開番号(公開出願番号):特開2001-076868
特許番号:特許第4666722号
出願日: 2000年06月28日
公開日(公表日): 2001年03月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 同一基板上に、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、前記画素部が有する画素電極の下に設けられたTFTを有し、
前記TFTは、活性層と、前記活性層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜上であって、前記ゲート電極と同一の層で設けられた接続配線と、
前記ゲート電極と前記接続配線とを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ、前記接続配線と重なるデータ配線と、
前記接続配線を介して、前記活性層と電気的に接続する電流供給線と、を有することを特徴とするEL表示装置。
IPC (6件):
H01L 51/50 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
, G09G 3/20 ( 200 6.01)
, G09G 3/30 ( 200 6.01)
FI (8件):
H05B 33/14 A
, G09F 9/00 348 C
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, G09G 3/20 622 E
, G09G 3/20 623 H
, G09G 3/20 680 G
, G09G 3/30 J
引用特許:
出願人引用 (4件)
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薄膜トランジスタの作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-215256
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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電気光学装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-277486
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-331388
出願人:カシオ計算機株式会社
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有機アクティブEL発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-357028
出願人:出光興産株式会社
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審査官引用 (4件)