特許
J-GLOBAL ID：201103067903420651
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
赤澤 日出夫
, ▲橋▼場 満枝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024360
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345285
特許番号：特許第4034518号
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ルテニウム液体原料を気化したガスと酸素含有ガスとを用い、熱CVD法により、基板上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する工程を有し、
前記成膜する工程は、基板上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する初期成膜工程と、
前記初期成膜工程において形成した膜を下地として前記初期成膜工程で形成した膜より厚い膜厚のルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する本成膜工程とを有し、
前記本成膜工程よりも前記初期成膜工程の方が成膜温度が高くなるように、また成膜圧力が高くなるように、またルテニウム原料流量に対する酸素含有ガス流量の比が大きくなるようにして成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C23C 16/18 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 21/285 C
, C23C 16/18
, C23C 16/40
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
