半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141222
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340435
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】キャパシタ電極の形成に際し、表面モフォロジーを向上させ、島状成長を抑制する。【解決手段】誘電体膜10として金属酸化物を用い、この誘電体膜を挟む電極8、11としてルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を用いたキャパシタの製造において、少なくとも一方の電極をルテノセンまたはシクロペンタジエニル環の一つ以上の水素が有機官能基に置換された有機基ルテノセンを原料ガスとして用いたCVD法で形成する際に、原料ガスの配位子であるシクロペンタジエニル基または有機官能基を持つシクロペンタジエニル基の骨格を形成するシクロペンタジエニル環を、炭素1個の基と炭素4個の基に分解させる反応または炭素1個の基と二つの炭素2個の基に分解させる反応を促進させるために、下地表面に少なくとも8族または1B族の元素を含む物質からなる触媒を形成する。

請求項（抜粋）：

誘電体膜として金属酸化物を用い、この誘電体膜を挟む電極としてルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を用いたキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、少なくとも一方の電極をルテノセンまたはシクロペンタジエニル環の一つ以上の水素が有機官能基に置換された有機基ルテノセンを原料ガスとして用いたCVD法で形成する工程を、原料ガスの配位子であるシクロペンタジエニル基または有機官能基を持つシクロペンタジエニル基の骨格を形成するシクロペンタジエニル環を、炭素1個の基と炭素4個の基に分解させる反応または炭素1個の基と二つの炭素2個の基に分解させる反応を促進させる条件下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166092 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231672 出願人：株式会社東芝
特開昭62-239526

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