特許
J-GLOBAL ID：201103068032392307
MIS型トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
佐藤 一雄
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184386
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082814
特許番号：特許第3809035号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、該基板上に形成されたソース・ドレイン領域と、該ソース・ドレイン領域間のチャネル領域の情報に設けられたゲート電極と、を備えるMIS型トランジスタにおいて、
前記半導体基板に形成された前記ソース・ドレイン領域の上面が前記半導体基板におけるチャネル形成面よりもゲート電極側に位置すると共に、前記ソース・ドレイン領域の上面が前記チャネル形成面上に設けられたゲート絶縁膜と前記ゲート電極との境界面よりも前記チャネル形成面側に位置し、かつ、前記ゲート絶縁膜の誘電率が酸化シリコンの誘電率よりも高くなるように形成されていることを特徴とするMIS型トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 301 G
