特許
J-GLOBAL ID：201103068083387618
ゲート転流型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077350
特許番号：特許第4137309号
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ターンオフ時に主電流の全てをゲート側に転流するゲート転流型半導体素子と、
前記ゲート転流型半導体素子の前記ゲート側とカソード側とを外部のゲートドライバに接続して電気的ループを形成する多層基板とを備え、
前記ゲート転流型半導体素子は、
その外周部側にゲート領域を有すると共に、前記ゲート領域の内側に複数のセグメントが同心状に並列して配置された半導体基板と、
前記ゲート領域上に該当する前記半導体基板の第1主面上に形成されたゲート電極層と、
各セグメント毎に前記半導体基板の前記第1主面上に形成されたカソード電極層と、
前記第1主面に対向する前記半導体基板の第2主面上に全面的に形成されたアノード電極層と、
前記ゲート電極層にその一端部が電気的に接触されている内側部と、前記内側部と繋がった中央部と、前記中央部と繋がった外側部とより成るゲート取り出し部と、
前記カソード電極層の全てと電気的に接触されているカソード電極部と、
前記アノード電極層と電気的に接触されているアノード電極部と、
前記カソード電極部及び前記アノード電極部の双方の外周部分の一部に固着されており、前記ゲート取り出し部の前記外側部が外側に突出する様に前記中央部を挟み込んで前記ゲート取り出し部の前記内側部と前記半導体基板と前記カソード電極層と前記アノード電極層とを内包する絶縁筒とを有しており、
前記多層基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の第1主面上に形成され、且つ、前記ゲート取り出し部の前記外側部にその一部が電気的に接続されていると共に、その他部が前記ゲートドライバの一端に接続されたドライバゲート電極と、
前記第1主面に対向する前記絶縁基板の第2主面上に形成され、且つ、前記カソード側とその一部とが電気的に導通していると共に、その他部が前記ゲートドライバの他端に接続されたドライバカソード電極とを有しており、
前記ゲート取り出し部の前記外側部は、それぞれが任意の方向に突出し且つその先端部に開孔部を有した短冊状板より成る複数本のゲート取り出し端子部より構成されていると共に、
前記複数本のゲート取り出し端子部の各々は、前記開孔部と前記ドライバゲート電極の前記一部の対応する箇所に設けられたネジ穴とを介して、前記ドライバゲート電極とネジ締結されており、
前記ゲート取り出し部の前記内側部は、
その下面が前記ゲート電極層と電気的に接触するリング状ゲート電極と、
その一端部が前記リング状ゲート電極の上面に電気的に接触し且つその他端部が前記中央部に繋がった内周部とより成り、
前記内周部と前記中央部とから成る部分はリング状板として一体的に構成されていると共に、
前記複数本のゲート取り出し端子部も前記リング状板と一体化されて一個のゲート取出し端子を形成していることを特徴とする、
ゲート転流型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/744 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
, H01L 29/74 ( 200 6.01)
H01L 29/74 C
, H01L 21/52 J
, H01L 29/74 J
, H01L 29/74 L
