特許
J-GLOBAL ID:201103068291938113
結晶配向セラミックス複合体及び圧電/電歪素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-125674
公開番号(公開出願番号):特開2011-251861
出願日: 2010年06月01日
公開日(公表日): 2011年12月15日
要約:
【課題】電界強度に比して大きな変形量を示す結晶配向セラミックスを提供する。【解決手段】結晶配向セラミックス複合体は、第1面及び第2面を有する基板と、第1面に対向するように配置された{100}配向セラミックス膜と、を有する。{100}配向セラミックス膜は、第1断面を備える。第1断面とは、第1面に対して垂直であって、第1面の法線に対して±20度の範囲内であるドメイン壁を備える90度ドメインが、第1断面の1/3以上の面積を占める断面である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
第1面及び第2面を有する基板と、
前記第1面に対向するように配置された{100}配向セラミックス膜と、
を有し、
前記{100}配向セラミックス膜は、前記第1面に垂直な第1断面を備え、
前記第1断面において、前記第1面の法線との間の角度が±20度の範囲内であるドメイン壁を備える90度ドメインが、前記第1断面の1/3以上の面積を占める
結晶配向セラミックス複合体。
IPC (8件):
C04B 35/00
, C04B 35/622
, H01L 41/09
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/24
, H01L 41/22
, B41J 2/16
FI (12件):
C04B35/00 J
, C04B35/00 E
, H01L41/08 C
, H01L41/08 L
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101J
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
, H01L41/22 B
, B41J3/04 103H
Fターム (42件):
2C057AF52
, 2C057AF93
, 2C057AP14
, 4G030AA02
, 4G030AA16
, 4G030AA17
, 4G030AA20
, 4G030AA29
, 4G030AA35
, 4G030AA36
, 4G030AA40
, 4G030AA43
, 4G030BA10
, 4G030CA01
, 4G030CA02
, 4G030CA08
, 4G030GA01
, 4G030GA15
, 4G030GA16
, 4G030GA20
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4G031AA01
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA14
, 4G031AA23
, 4G031AA28
, 4G031AA32
, 4G031AA35
, 4G031BA10
, 4G031CA01
, 4G031CA02
, 4G031CA08
, 4G031GA01
, 4G031GA04
, 4G031GA05
, 4G031GA06
, 4G031GA09
, 4G031GA11
, 5D004BB01
, 5D004FF01
引用特許:
引用文献:
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