特許
J-GLOBAL ID：201103068474212472
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286202
特許番号：特許第3440873号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機金属を原材料に用いない方法で基板上に第一のIII族窒化物系化合物半導体層を形成し、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層を水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスの雰囲気下で熱処理し、その後、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
