磁気メモリ素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-202344
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061204
出願日： 2010年09月09日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第1接合磁性層、第1接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第1垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第2接合磁性層、第2接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第2垂直磁性層、及び第1接合磁性層と第1垂直磁性層との間の非磁性層を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1垂直磁性層と、前記第1垂直磁性層上に非磁性層と、前記非磁性層上に第1接合磁性層と、前記第1接合磁性層上にトンネルバリアと、前記トンネルバリア上に第2接合磁性層と、前記第2接合磁性層上に第2垂直磁性層と、を有し、前記非磁性層が前記第1垂直磁性層と前記第1接合磁性層との間に配置され、前記第1接合磁性層が前記非磁性層と前記トンネルバリアとの間に配置され、前記トンネルバリアが前記第1接合磁性層と前記第2接合磁性層との間に配置され、前記第2接合磁性層が前記トンネルバリアと前記第2垂直磁性層との間に配置されることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01L 29/82

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01F10/32 , H01L29/82 Z

Fターム (54件)：

4M119AA06 , 4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119JJ09 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049CB01 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB16 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB25 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC19 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248251 出願人：株式会社東芝
記憶素子及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-005513 出願人：ソニー株式会社
磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-544759 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

前のページに戻る