特許
J-GLOBAL ID：200903083735501850
磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-544759
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510047
出願日： 2002年11月14日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
磁気トンネル接合磁気装置、メモリ、及び前記装置を用いた書き込み及び読み出し方法。 前記装置(16)は、半導体又は絶縁体の層(20b)によって分離された基準層(20c)と記憶層(20a)とを備える。記憶層の磁化のブロッキング温度は、基準層の磁化のブロッキング温度よりも小さい。装置はさらに、磁化のブロッキング温度よりも上に記憶層を加熱する手段(22,24)と、前記基準層の向きを変えることなく基準層の磁化に対して記憶層の磁化の向きを調整する磁場(34)を記憶層に印加する手段(26)と、を備える。
請求項（抜粋）：
磁気トンネル接合(18,52a,52b,52c,52d,74)を有する磁気装置(16)であって、
-基準層を形成するとともに固定方向の磁化を有する第1磁気層(20c,36,54,82,94,114)と、
-記憶層を形成するとともに可変方向の磁化を有する第2磁気層(20a,38,56,86,98,112)と、
-前記第1層を前記第2層から分離するとともに半導性又は電気絶縁性である第3層(20b,48,58,84,102,123)と、を含む磁気装置において、
該装置は、前記記憶層の磁化のブロッキング温度が、前記基準層の磁化のブロッキング温度よりも低く、かつ前記装置はさらに、
-前記磁気トンネル接合を通じて電流を流すよう設けられた手段(22〜24,62〜60a〜60b〜60c〜60d,76〜78,124〜126)である、前記記憶層の磁化のブロッキング温度よりも高い温度まで前記記憶層を加熱する手段と、
-前記記憶層に、前記基準層の向きを変えることなく、前記基準層の磁化に対して前記記憶層の磁化の向きを調整することのできる磁場を印加する手段(22,26,64,66,68,108,116,118)と、
を含むことを特徴とする磁気装置。
IPC (6件)：
H01L27/105
, H01F10/16
, H01F10/30
, H01F10/32
, H01L43/08
, H01L43/10
H01L27/10 447
, H01F10/16
, H01F10/30
, H01F10/32
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049CB01
, 5E049DB02
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA02
, 5F083ZA21
