特許
J-GLOBAL ID：201103068762524373
発光装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087092
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289344
特許番号：特許第4592989号
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ソース領域及びドレイン領域を有する薄膜トランジスタの前記ソース領域及びドレイン領域上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記ドレイン領域に達する開口部を形成した後、ドレイン電極を形成し、
前記層間絶縁膜上に前記ドレイン電極と接続する第1の電極を形成し、
前記第1の電極を覆う絶縁層を形成した後、前記第1の電極上において開口部を形成して、第1の絶縁層を設け、
前記第1の電極の表面を洗浄液とともにポリビニルアルコール系の多孔質体を巻き付けた軸を回転させて拭い、
前記第1の電極及び前記第1の絶縁層上に、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第2の絶縁層を1nm以上10nm以下の厚さで形成し、
前記第2の絶縁層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (6件)：
H05B 33/10 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
, H05B 33/12 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/22 ( 200 6.01)
H05B 33/10
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
, H05B 33/22 D
, H05B 33/22 B
