特許
J-GLOBAL ID:201103068804222674

液晶表示装置用電極基板の製造方法及び液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-325613
公開番号(公開出願番号):特開2001-142082
特許番号:特許第4453130号
出願日: 1999年11月16日
公開日(公表日): 2001年05月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】液晶表示装置用電極基板の製造方法において、 1)透明基板の片面上に少なくとも薄膜トランジスタ素子、ゲート配線、ソース配線、画素配線、及び補助容量部が形成された薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側上に保護膜を形成し、 2)該補助容量部上の該保護膜に、所定パターンに従って画素配線を露出させるスルーホールを形成し、 3)該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側上の全面に、硬化した時点で透明である紫外線硬化型接着剤層を形成し、 4)支持シート上に剥離層、カラーフィルタ機能を有する着色層が形成された転写シートの該着色層側と該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側とを対向させて貼り合わせ、 5)該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の他面側から裏露光により紫外線を照射し、該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の、薄膜トランジスタ素子、ゲート配線、ソース配線、及び補助容量部など以外の光透過性部分の該接着剤層を光硬化させた後、支持シートを剥離層と共に剥離して、該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側に光硬化させた接着剤層上の着色層を転写し、未硬化の接着剤層上の着色層を剥離し、 6)該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側の薄膜トランジスタ素子、ゲート配線、ソース配線、及び補助容量部などの光不透過性部分の未硬化の接着剤層部分を除去し、スルーホール分の画素配線を露出させ、 7)該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側上の全面に、ITO塗布液を塗布、焼成して透明導電膜を形成し、 8)該透明導電膜を所定の形状にパターニングして、上記スルーホールにより画素配線と電気的に接続した透明導電膜よりなる画素電極を形成し、 9)該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の該薄膜トランジスタ素子側上の全面に、黒色感光性樹脂組成物を塗布し、該薄膜トランジスタ素子形成電極基板の他面側から裏露光により紫外線を照射し、光が透過した部分に遮光膜を形成し、 10)該薄膜トランジスタ素子側上に黒色感光性樹脂組成物を塗布し、薄膜トランジスタ素子側からマスクを用いて紫外線を照射することにより、該薄膜トランジスタ素子側に柱状スペーサを形成し、 柱状スペーサーを有する液晶表示装置用電極基板を製造することを特徴とする液晶表示装置用電極基板の製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/1339 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1335 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01)
FI (4件):
G02F 1/133 500 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 338
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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