特許

J-GLOBAL ID：201103068969515617

接合方法及び光集積回路の製造方法

発明者： 水本 哲弥 ,  横井 秀樹
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146386
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338349
特許番号：特許第3213724号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 化合物半導体結晶と磁気光学結晶とを接合する接合方法であって、前記化合物半導体結晶の第1の表面を水酸基で修飾する工程、前記磁気光学結晶の第2の表面を酸素プラズマに晒して活性化させる工程、前記活性化された第2の表面を水酸基で修飾する工程、及び前記水酸基で修飾された第1の表面と前記水酸基で修飾された第2の表面とを接触させた状態で加熱する工程を具備することを特徴とする接合方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 複合圧電基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028993   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-281777